|
半導體光電製程學程
至少21學分：必修6學分、跨領域產業與專業選修15學分
|
||
|
課程類別
|
組 別
|
|
|
半導體製程組
|
光電製程組
|
|
|
基礎科學必修課程
|
普通物理(3學分)、普通化學(3學分)
|
|
| 必選課程 | 半導體製程概論 | |
|
專業選修課程
|
半導體微影製程
|
半導體元件物理
|
|
蝕刻製程
|
有機電致發光二極體
|
|
|
薄膜製程
|
發光二極體特論與實驗
|
|
|
材料分析
|
太陽能光電
|
|
|
真空技術
|
平面顯示器概論
|
|
|
半導體封裝與趨勢
|
真空技術
|
|
|
發光二極體技術概論
|
半導體微影製程
|
|
| 擴散製程 | 蝕刻製程 | |
|
超大型積體電路設計導論
|
光學(I) | |
| 半導體元件物理 | ||
註:光電製程組課程內容請參照應用物理系網頁
現行兩年一輪『半導體光電製程學程』-半導體製程組-課程安排： 103學年度上學期更新
| 年級 | 課程設計 | 可開課教師 |
| 大一基礎科學課程 | 普通物理及普通化學(必修，6學分) | 各系課程教師 |
| 學程選課第一年上學期 | 半導體概論課程(必選，3學分) | 劉福鯤、鄭秀英﹑莊琇惠(AC)﹑王瑞琪(CM)、黃建榮(AP)、葉文冠(EE) |
| 真空技術 (選修，3學分) | 鄭秀英(AC)﹑呂正傑(CM，薄膜工程)、余進忠(AP) | |
| 半導體元件物理(選修，3學分) | 藍文厚(EE)﹑孫士傑(AP) | |
| 半導體封裝與趨勢(選修，3學分) | 王陳肇(EE,外聘) | |
| 發光二極體技術概論(選修，1學分) | 鄭秀英(AC) | |
| 薄膜製程(選修，3學分) | 劉福鯤(AC) | |
| 超大型積體電路設計導論(選修，3學分) | 陳春僥(EE) | |
| 學程選課第一年下學期 | 蝕刻製程(選修，2學分) | 莊琇惠(AC) |
| 材料分析(選修，3學分) | 王瑞琪(CM﹐材料表面分析)、莊琇惠(AC) | |
| 擴散製程(選修，1學分) | 外聘 | |
| 學程選課第二年上學期 | 半導體概論課程(必選，3學分) | 劉福鯤、鄭秀英﹑莊琇惠(AC)﹑王瑞琪(CM)、黃建榮(AP)、葉文冠(EE) |
| 真空技術 (選修，3學分) | 鄭秀英(AC)﹑呂正傑(CM，薄膜工程)、余進忠(AP) | |
| 半導體元件物理(選修，3學分) | 藍文厚(EE)﹑孫士傑(AP) | |
| 半導體封裝與趨勢(選修，3學分) | 王陳肇(EE,外聘) | |
| 發光二極體技術概論(選修，1學分) | 鄭秀英(AC) | |
| 學程選課第二年下學期 | 微影製程 (選修，3學分) | 鄭秀英(AC) |
| 材料分析(選修，3學分) | 莊琇惠(AC)、王瑞琪(CM,材料表面分析) |
半導體製程光電學程計畫書
(一)學程目標
根據2006年8月號的IC Insight Inc.報導，台灣已有半導體公司擠身成為全世界第四大半導體晶片供應商。同期報導中並指出，台灣有三家公司列入全世界十大晶圓代工廠，產量逼近總代工量的四分之三！此十大代工廠，僅一家位於歐洲，而位於亞洲的9家中，華人地區就佔有8家之多。
當今一座12吋的IC廠至少需要400位製程工程師才能維持生產的正常運轉。而根據「2006～2008台灣產業科技人才供需總體檢」研究計畫調查顯示，到了2008年，國內的半導體人才需求將增加至1萬8千人，高居人才需求第一位。所以，半導體製程工程師的培育已成為此產業發展的當務之急。
本校應用化學系的多位教師具有半導體光電製程之研發及實務經驗，並在此學程提出之前已陸續教授數個相關課程。為了完整地培育半導體光電產業專業製程人才，故將課程加以擴充與重整為半導體光電製程學程。目前，國內的半導體相關課程多以元件物理與整合為主，缺乏以製程為導向的完整課程規劃。本半導體製程學程以化學、化工、材料、物理等相關科系學生為主要對象，藉由介紹半導體光電各重要製程原理為基礎，再加上產業技術經驗的傳承，以培育專業的半導體光電製程研發人員與製程工程師為學程目標。
(二)學程課程內容與修業規定
「半導體光電製程學程」跨越理工學院，在學程的設計上，以基礎科學為核心知識，導入相關的專業知識，使學生具備半導體光電製程的第二專長。學程課程內容如下表所示：
|
半導體光電製程學程
至少21學分：必修6學分、跨領域產業與專業選修15學分
|
||
|
課程類別
|
組 別
|
|
|
半導體製程組
|
光電製程組
|
|
|
基礎科學必修課程
|
普通物理(3學分)、普通化學(3學分)
|
|
| 必選課程 | 半導體製程概論 | |
|
專業選修課程
|
微影製程
|
半導體元件物理
|
|
蝕刻製程
|
有機電致發光二極體
|
|
|
薄膜製程
|
發光二極體特論與實驗
|
|
|
材料分析
|
太陽能光電
|
|
|
真空技術
|
平面顯示器概論
|
|
|
半導體封裝與趨勢
|
真空技術
|
|
|
發光二極體技術概論
|
半導體微影製程 | |
| 擴散製程 | 蝕刻製程 | |
| 超大型積體電路設計導論 |
光學(I)
|
|
| 半導體元件物理 | ||
「半導體光電製程學程」至少須修業21學分：必修─普通物理及普通化學共6學分，此為基礎科學課程；必選─半導體製程與設備概論3學分，此為半導體概論課程；下列選修課程至少12學分(半導體元件物理與製程整合概論3學分、薄膜製程3學分、微影製程3學分、蝕刻製程2學分、真空技術2學分、材料分析3學分、擴散製程1學分)，此為半導體光電製程專業課程。
(三)修課年級及其學分數流程圖
| 年級 |
課 程 設 計
|
開課教師 |
| 大一基礎科學課程 |
普通物理及普通化學(必修，6學分)*
|
各系課程教師 |
| 學程選課第一年上學期 |
半導體製程與設備概論(必選，3學分)*
|
劉福鯤 |
|
真空技術 (選修，3學分)*
|
鄭秀英 | |
| 學程選課第一年下學期 | 微影製程 (選修，3學分) | 鄭秀英 |
| 薄膜製程(選修，3學分) | 劉福鯤 | |
| 學程選課第二年上學期 |
半導體元件物理與製程整合概論(選修，3學分)*
|
外系支援或外聘 |
| 蝕刻製程(選修，2學分) | 莊琇惠 | |
| 學程選課第二年下學期 | 擴散製程(選修，1學分) | 外系支援或外聘 |
| 材料分析(選修，3學分) | 莊琇惠 |
註1：學程學分預修採計課程如下:各理工系所開授本學程定義之基礎科學課程(6學分)、本校各系所所開授之「半導體元件物理」(3學分)、本系於學程開辦前所開授與學程課程相等之課程。第一屆學程(95下至96下)採計的學分數計算本系於學程開辦前所開授與學程相等之課程如下:
莊琇惠老師於93上或94下開授之〝半導體製程概論〞3學分可抵本學程之〝半導體光電製程與設備概論〞3學分‧
說明-〝半導體製程概論〞3學分課程中包含製程概論亦涵蓋設備之介紹，故本課程與〝半導體製程與設備概論〞相等‧
鄭秀英老師於94下開授之〝化學研究技術導論〞2學分可抵本學程之〝真空技術〞2學分‧
說明-〝化學研究技術導論〞2學分課程中的2/3為真空技術概論，1/3為超 高真空實驗用光學元件與雷射之原理與應用介紹‧故此課程與本學程的〝真空技術〞相等‧
註2：97學年度起，本學程以上表的計畫流程開課。本學程計畫於95學年度下學期開始。為使97級畢業生能選擇並完成此一學程，本學程於第一屆開班時，課程將於三學期內開設完畢。95年度下學期開授半導體製程與設備概論、微影製程、材料分析；96年度上學期開授薄膜製程、蝕刻製程、擴散製程；96年度下學期開授半導體元件物理與製程整合概論、真空技術。
(四) 師資在半導體光電製程相關經歷
|
教 師
|
半導體製程相關經歷
|
相關授課紀錄
|
|
鄭秀英
|
(1)台灣積體電路有限公司微影研發/6廠技術副理/副理(2001-2003)
(2)荷蘭微影設備商ASML應用工程師(1998-2001)
(3)行政院同步輻射研究中心副研究員 (1991-1998)
|
半導體微影製程、化學研究技術導論(包含真空技術)、交通大學半導體人才培訓中心"黃光製程" |
|
莊琇惠
|
(1)國家奈米元件實驗室關鍵性副研究員(2000-2003)
(2)美商科林研發股份有限公司 技術研發中心資深製程工程師 (1998–2000)
|
半導體製程概論、積體電路製程技術訓練班"蝕刻技術" |
|
劉福鯤
|
(1)國家實驗研究院國家奈米元件實驗室生化光電技術組副研究員(2003-2005)
(2)行政院國家科學委員會國家毫微米元件實驗室 後段製程組副研究員(2001-2003)
|
半導體製程導論、化學氣相沉積/物理氣相沉積技術 |
|
外聘或外系老師
|
支援半導體元件物理與製程整合概論課程 | |
|
外聘或外系老師
|
支援擴散製程課程 | |
